WEKO3
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炭化ケイ素半導体を用いた耐放射線性イメージセンサの開発
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Item type | 会議発表論文 / Conference Paper(1) | |||||
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公開日 | 2020-02-12 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 炭化ケイ素半導体を用いた耐放射線性イメージセンサの開発 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||
資源タイプ | conference paper | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
武山, 昭憲
× 武山, 昭憲× 牧野, 高紘× 山崎, 雄一× 大島, 武× 清水, 奎吾× 田中, 保宣× 西垣内, 健汰× 長谷部, 史明× 目黒, 達也× 黒木, 伸一郎× Takeyama, Akinori× Makino, Takahiro× Yamazaki, Yuichi× Ohshima, Takeshi |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 原子力発電所での廃炉作業など、高線量環境で使用できる耐放射線性の半導体イメージセンサが求められている。そこで本研究では、従来のシリコン(Si)を用いた素子に比べバンドギャップが広く、耐放射線性に優れる炭化ケイ素(SiC)に着目し、イメージセンサを実現するための各種要素プロセス技術を開発した。さらに一画素紫外線(UV)イメージセンサを試作し、3 MGyのガンマ線照射後も正常に動作することを実証した。 | |||||
書誌情報 |
電気学会 電子デバイス研究会資料 発行日 2020-02 |