WEKO3
アイテム
{"_buckets": {"deposit": "55fe2e73-fc0b-477c-9286-3eadc39b5507"}, "_deposit": {"created_by": 1, "id": "77933", "owners": [1], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "77933"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:repo.qst.go.jp:00077933", "sets": ["28"]}, "author_link": ["842352", "842353"], "item_10005_date_7": {"attribute_name": "発表年月日", "attribute_value_mlt": [{"subitem_date_issued_datetime": "2019-12-04", "subitem_date_issued_type": "Issued"}]}, "item_10005_description_5": {"attribute_name": "抄録", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "Siに変わる高性能かつ高耐放射線性(イオン入射破壊耐性)半導体材料として期待されているSiC-MOSFETに対しイオン照射を行い、その破壊耐性を評価した。\n評価対象は産総研製IE-MOSFETと、それと同程度の性能を持つWOLFSPEED社の市販SiC MOSFETとし、それぞれのイオン照射後のリーク電流をモニタすることで,イオン誘起破壊耐性を比較した。\n", "subitem_description_type": "Abstract"}]}, "item_10005_description_6": {"attribute_name": "会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "先進パワー半導体分科会第6回講演会", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_access_right": {"attribute_name": "アクセス権", "attribute_value_mlt": [{"subitem_access_right": "metadata only access", "subitem_access_right_uri": "http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "牧野, 高紘"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "842352", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Makino, Takahiro", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "842353", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "conference object", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]}, "item_title": "量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価"}]}, "item_type_id": "10005", "owner": "1", "path": ["28"], "permalink_uri": "https://repo.qst.go.jp/records/77933", "pubdate": {"attribute_name": "公開日", "attribute_value": "2019-12-11"}, "publish_date": "2019-12-11", "publish_status": "0", "recid": "77933", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価"], "weko_shared_id": -1}
量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価
https://repo.qst.go.jp/records/77933
https://repo.qst.go.jp/records/7793370b35bb5-544b-411f-9fa0-12e455915b62
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2019-12-11 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
牧野, 高紘
× 牧野, 高紘× Makino, Takahiro |
|||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | Siに変わる高性能かつ高耐放射線性(イオン入射破壊耐性)半導体材料として期待されているSiC-MOSFETに対しイオン照射を行い、その破壊耐性を評価した。 評価対象は産総研製IE-MOSFETと、それと同程度の性能を持つWOLFSPEED社の市販SiC MOSFETとし、それぞれのイオン照射後のリーク電流をモニタすることで,イオン誘起破壊耐性を比較した。 |
|||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 先進パワー半導体分科会第6回講演会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2019-12-04 | |||||
日付タイプ | Issued |