量研学術機関リポジトリ「QST-Repository」は、国立研究開発法人 量子科学技術研究開発機構に所属する職員等が生み出した学術成果（学会誌発表論文、学会発表、研究開発報告書、特許等）を集積しインターネット上で広く公開するサービスです。 Welcome to QST-Repository where we accumulates and discloses the academic research results(Journal Publications, Conference presentation, Research and Development Report, Patent, etc.) of the members of National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology.
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SiC p+nn+ダイオード中の発光中心の逆バイアス電圧印加状態（ON）及び無バイアス状態（OFF）における発光を観察したところ、発光強度がバイアス電圧のON/OFFに応答する発光中心を発見した。この結果は、SiC中の単一光子源（SPS）を利用したデバイス駆動型SPS発光特性制御の実現や、内部電界可視化による新たなデバイス診断法への道を切り開いたといえる。
バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化
